Системата IBAE съчетава електронно-лъчево или термично изпаряване с интегриран широко-лъчев йонен източник. Едновременното йонно бомбардиране по време на растежа на филма прехвърля кинетичната енергия към кондензиращите адатоми, елиминирайки колоновидни микроструктури и произвеждайки тънки филми с близка-обемна-плътност с минимално -предизвикано от влага спектрално изместване.
Технически спецификации
|
Параметър |
Спецификация |
|
Базово налягане |
<= 5.0 x 10^(-5) Pa (achieved within 35 minutes) |
|
Работно налягане |
1,0 x 10^(-1) до 1,0 x 10^(-2) Pa |
|
Тип йонен източник |
Gridless End-Hall / йонен източник Kaufmann |
|
Енергия на йонен лъч |
50 eV до 1500 eV (затворен-контур, стабилизиран) |
|
Плътност на тока на йонния лъч |
0 до 2,5 mA/cm^2 |
|
Източници на изпарение |
Много{0}}джобно двулъчево оръжие (4 x 15 cc до 6 x 40 cc) / Съпротивителни лодки |
|
Държач за субстрат |
Планетарно ротационно приспособление с нагряване до 300 градуса C |
|
Еднородност на дебелината |
<= plus/minus 0.5 percent over 400 mm diameter |
|
Система за контрол |
Siemens S7-1500 PLC + Индустриален компютър (контролер за отлагане Inficon) |
Ключови характеристики
Бомбардиране с двоен-режим:Трансферът на кинетична енергия уплътнява филмите при ниски температури на субстрата, предпазвайки деликатната оптика и полимерните субстрати.
Йонна стабилизация със затворен-контур:Интегрираните контролери за масов поток поддържат постоянен йонен поток по време на дълги производствени цикли, осигурявайки консистенция на партидите.
Модулна вакуумна камера:Конструкция от неръждаема стомана 304L с електро-полирана вътрешност (Ra<= 0.2 um) and Conflat metal seals.
Автоматизирано секвениране:PLC-управляваните цикли на-изпомпване, отлагане и обезвъздушаване минимизират експлоатационните отклонения.
Конфигурация на вакуумна система
Помпи за груба обработка:Без{0}}сухи корени и ротационни лопаткови помпи.
Помпа за висок вакуум:Магнитно левитирана турбомолекулярна помпа (1600 L/s).
Габарити:Комбинирани капацитивни манометри Pirani, студен катод и Baratron.
Клапани:Пневматични шибъри и ъглови вентили с хардуерни предпазни блокировки.
Изпарителни материали и съвместимост на субстрата
Оксиди:SiO2, Ta2O5, TiO2, Nb2O5, Al2O3
Флуориди:MgF2, LaF3
Метали:Au, Ag, Al, Ti, Cr
Субстрати:Разтопен силициев диоксид, BK7, силициеви пластини, германий, цинков селенид (ZnSe) и термо{1}}устойчив полиимид.
Приложения
Прецизна оптика:Теснолентови филтри и DWDM покрития, изискващи стабилни централни дължини на вълната.
Лазерна оптика:Високи-прагови-отражатели и-антиотражателни покрития.
Полупроводници и фотоника:Диелектрични защитни слоеве, пасивация и оптични вълноводи.
Слънчева енергия:Модификация на интерфейса с прозрачен проводим оксид (TCO).
Персонализиране
Размер на камерата:Диаметри с възможност за мащабиране от 600 mm до 1200 mm.
Изходно оформление:До три е-лъчеви оръдия и множество топлинни източници на платформа.
Метрология на-на място:Широколентов оптичен мониторинг (BOM) или интегриране на кварцови кристални микровезни (QCM).
Автоматизация:Роботизирани интерфейси за зареждане на субстрат, съвместими със стандартите SEMI.
Контрол на качеството
Откриване на течове:Тестване с хелиев масспектрометър на камера (чувствителност<= 1 x 10^(-10) Pa*m^3/s).
Източник на компоненти:Промишлени марки Tier-1 (Inficon, MKS, Edwards, Siemens).
Фабрично приемане (FAT):72-часова непрекъсната суха работа и проверка на покритието, измерващо индекса на пречупване и еднородността преди изпращане.
Инсталиране и техническа поддръжка
Документация:Пълен английски пакет, включително електрически схеми, P&ID диаграми и изходни кодове на PLC.
Теренни услуги:Инсталация до ключ, калибриране на вакуум и настройка на рецепти от инженери по приложенията.
Дистанционна диагностика:Сигурен VPN модул за отстраняване на проблеми със софтуера и процесите.
ЧЗВ
Въпрос: Как йонната помощ променя индекса на пречупване на оксида?
О: Енергичното йонно бомбардиране изхвърля уловените остатъчни газове и уплътнява микроструктурата, измествайки индекса на пречупване на филми като Ta2O5 и TiO2 по-близо до общите стойности.
Въпрос: Какъв е типичният интервал на поддръжка за източника на йони?
О: Интервалите на поддръжка варират от 150 до 300 часа обработка, в зависимост от технологичните газове и работната плътност на мощността.
Въпрос: Може ли тази система да управлява реактивни газови процеси?
A: Да. Независимите контролери на масовия поток инжектират реактивни газове (O2, N2) директно в йонния източник и зоните на камерата, свързани с предпазни пресостати.
Популярни тагове: оборудване за изпаряване с помощта на йонен лъч, Китай оборудване за подпомагане на изпаряване с йонен лъч производители, доставчици, фабрика
