Общ преглед на продукта
Серията IAE{0}}Тънкослойно оборудване с йонно{1}}изпаряване интегрира физическо отлагане на пари (PVD) с-бомбардиране с йонен лъч в реално време. Чрез насочване на енергийни йони върху субстрата по време на термично или електронно-лъчево изпарение, системата прехвърля инерция към кондензиращите адатоми, преструктурирайки микроструктурата на нарастващия филм.
Този кинетичен трансфер на енергия елиминира колонните кухини, потиска абсорбцията на влага и блокира индекса на пречупване спрямо промените във влажността на околната среда. Създадена за непрекъсната работа на много-смени в оптични и полупроводникови производствени линии, платформата обработва субстрати, вариращи от високо-прецизна лазерна оптика до силициеви пластини.
-
![Йонно{0}}оборудване за вакуумно изпаряване]()
Йонно{0}}оборудване за вакуумно изпаряванеСистемата за йонно-подпомогнато вакуумно изпаряване интегрира високо-вакуумни термични или електронно-лъчеви източници на изпаряване с източник на йони тип Кауфман-или Краен-Хол. Чрез бомбардиране...Вижте още -
![Йонно{0}}система за отлагане на тънък слой]()
Йонно{0}}система за отлагане на тънък слойСистемата за асистирано йонно-отлагане на тънък филм интегрира много-джобно-електронно{2}}лъчево/термично изпаряване с високо-производителен източник на йони тип End-Hall или Kaufman-. По време на...Вижте още -
![Оборудване за изпаряване с йонен лъч]()
Оборудване за изпаряване с йонен лъчСистемата IBAE съчетава електронно-лъчево или термично изпаряване с интегриран широко-лъчев йонен източник. Едновременното йонно бомбардиране по време на растежа на филма прехвърля кинетичната...Вижте още -
![Оборудване за-асистирано йонно отлагане на тънък филм]()
Оборудване за-асистирано йонно отлагане на тънък филмОборудването за асистирано йонно-отлагане на тънък филм от серията IA-интегрира термично изпаряване с-електронен лъч с йонен източник на Kaufman или End-Hall. Енергичното йонно бомбардиране (смес...Вижте още -
![Система за тънкослойно-изпаряване с йон]()
Система за тънкослойно-изпаряване с йонСистемата за тънкослойно-подпомогнато изпаряване (IAE) интегрира физическо отлагане на пари (PVD) с бомбардиране с енергиен йонен лъч. По време на термично или електронно{2}}изпаряване...Вижте още -
![Оборудване за тънкослойно-изпаряване с йони]()
Оборудване за тънкослойно-изпаряване с йониПромишлена система за-асистирано йонно{1}}изпаряване (IAE), интегрираща много-джобно електронно-изпаряване с източник на енергиен йонен лъч (End-конфигурация на Хол или Кауфман)....Вижте още
Технически спецификации
|
Параметър |
Спецификация |
|
Крайно базово налягане |
< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (achieved within 45 mins via cryogenic/turbomolecular pumping) |
|
Източници на изпарение |
Много{0}}джобен E-лъчев пистолет (4 × 15cc до 40cc) и резистивни топлинни източници |
|
Тип йонен източник |
Безмрежов източник на йони от тип -Hall/Kaufman- (напрежение на лъча: 50 – 1500 V, йонен ток: 0,1 – 3 A) |
|
Контрол на дебелината на филма |
Микровезна с кварцов кристал (QCM) + система за оптичен мониторинг (OMS), прецизност ± 0,1 nm |
|
Фиксиране на субстрата |
Приспособление за планетарно въртене, радиус на купола, персонализиран спрямо геометрията на субстрата |
|
Подгряване на субстрата |
Лъчист нагревател, до 350 градуса с ± 2 градуса равномерност на PID |
|
Контролна архитектура |
PLC + Индустриален компютър, автоматизирано изпълнение на рецепта, SECS/GEM съвместимо регистриране на данни |
Йонно{0}}процес на отлагане
Генериране на пара:
Материалът се изпарява от e-beam тигел или термична лодка при контролирани скорости на отлагане (0,1 – 2,0 nm/s).
01
Трансфер на инерция:
Енергийни йони (Ar⁺, O⁺) бомбардират повърхността на субстрата едновременно с пристигащия поток от пари от E-лъча или топлинния източник.
02
Модификация на микроструктурата:
Йонното въздействие подобрява мобилността на повърхността на адатомите, предотвратявайки растежа на колоновидни зърна и постигайки почти -насипна плътност (плътност на опаковката > 99%).
03
Стехиометрична корекция:
Помощта с реактивни йони (O₂) осигурява пълно окисляване на суб-оксидите във филми от метални оксиди (напр. Ta₂O5, Nb₂O₅, SiO₂), елиминирайки ивиците на абсорбция в UV-NIR спектъра.
04
Филмови материали
Оксиди:
SiO₂, Ta₂O₅, TiO₂, Nb₂O5, HfO₂ (стабилност с висок индекс на пречупване за оптични филтри).
Флуориди:
MgF₂, LaF3 (слоеве с нисък индекс на пречупване за широколентови AR покрития).
Метали:
Al, Ag, Au, Ti (Адхезионни слоеве и метални рефлектори).
Приложения
Лазерна и прецизна оптика:
Лентово пропускащи филтри, дихроични огледала и лазерни защитни покрития, изискващи висок праг на -индуцирано увреждане (LIDT) и нулево спектрално изместване при термичен стрес.
Покривно стъкло LiDAR:
Издръжливи анти{0}}отражателни (AR) и анти-замърсяващи тънки слоеве, устойчиви на сурови атмосферни влияния на открито.
Опаковка на полупроводници:
Капсулиращи-слоеве срещу влага и метални контактни подложки, отложени при ниски температури на субстрата.
Биомедицински сензори:
Биосъвместими оптични интерферентни покрития за диагностични микрофлуидни чипове.
Персонализиране
Камерите и вътрешните оформления са проектирани според специфичните производствени отпечатъци и изискванията на процеса:
Размери на камерата:
С възможност за мащабиране от R=600 mm единици за научноизследователска и развойна дейност до R=1200 mm високо{2}}капацитетни производствени системи.
Пакети за изпомпване:
Конфигурируеми с турбомолекулярни помпи Maglev, криопомпи и поддържащи линии за вентилатори на Roots въз основа на изискванията за натоварване с газ.
Интеграция на източника:
Конфигурации с двоен-йонен източник или настройки за ко-отлагане за комплексни сплави и много-слойни градиентни филми.
Ниво на автоматизация:
Интегриране с автоматизирани системи за трансфер на субстрат в чисти помещения (EFEM / Вакуумни клъстерни инструменти).
Контрол на качеството
Откриване на течове:
Всяка вакуумна камера се тества-за теч на хелий с помощта на масспектрометър (скорост на теч < 1,0 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s).
Проследимост на компонентите:
Вакуумни вентили, контролери за масов поток (MFC) и захранващи устройства, произхождащи от квалифицирани индустриални марки Tier-1 (MKS, Inficon, VAT).
Фабрично приемане (FAT):
Извършете-тестове, проверяващи базовото налягане, кривата на изпомпване, стабилността на източника и 24-часа непрекъсната издръжливост на празна камера преди изпращане.
Метрологично валидиране:
Пробите са проверени чрез спектрофотометър (пропускливост/отражение) и атомно-силова микроскопия (грапавост на повърхността Ra < 0,5 nm).
Инсталиране и техническа поддръжка
Ръководство за подготовка на място:
Изчерпателни изисквания за комунални услуги, предоставени преди доставката (поток/налягане на охлаждаща вода, сгъстен въздух в чисти помещения, разпределение на мощността, изпускателна вентилация).
Пускане до ключ:
Инженерите за обслужване на място се занимават с механично сглобяване, вакуумно изпичане,-изпичане, калибриране на йонен лъч и подписване-на първоначалната рецепта за процес-на място.
Обучение на оператора:
Структурирано практическо-обучение, обхващащо рутинна поддръжка, вакуумна безопасност, работа със софтуера и отстраняване на неизправности.
Поддръжка на жизнения цикъл:
Интерфейс за отдалечена диагностика за бързо отстраняване на софтуерни проблеми; регионален запас от критични износващи се елементи (нишки, тигели, щитове), изпратени в рамките на 48 часа.
ЧЗВ
Ние сме добре{0}}известни като един от водещите производители и доставчици на тънкослойно оборудване за-йонно изпаряване в Китай. Ако възнамерявате да закупите персонализирано йонно{3}}изпарително тънкослойно оборудване, произведено в Китай, можете да получите ценова листа от нашата фабрика. За ценова консултация се свържете с нас.
