Системата за отлагане на тънък филм с електронен лъч осигурява насочена PVD обработка с висока-чистота за напреднали изследвания и промишлено производство. Използвайки фокусиран, магнитно управляван електронен лъч, насочен към изходния материал вътре в-охлаждаем с вода меден тигел, системата постига термично изпаряване на огнеупорни метали, оксиди и диелектрични съединения без замърсяване на тигела.
Създадена за интегриране в чисти помещения, архитектурата съчетава модулни вакуумни камери, много-джобни E-лъчеви пистолети и автоматизация на процеса със затворен-контур за управление на дебелината на филма, стехиометрията и остротата на повърхността.
Технически спецификации
|
Параметър |
Спецификация Диапазон / Детайл |
|
Крайно базово налягане |
< 5 x 10^-7 Torr (Cryogenic or turbomolecular configurations) |
|
Време за-изпомпване |
< 15 minutes to 1 x 10^-5 Torr (Clean, dry, empty chamber) |
|
E-Beam Gun Power |
3 kW до 10 kW (много-джобен контролер за почистване с автоматично-метене) |
|
Конфигурация на тигела |
4 до 6 джоба; Капацитет от 7 cc до 40 cc на джоб |
|
Държач за субстрат |
С-активирано въртене, контролирани-вода/нагревател етапи, поддържащи до 200 mm вафли или персонализирани плоски субстрати |
|
Еднородност на дебелината на филма |
< +/- 1% across a 100 mm deposition area (Optimized via planetary fixture or source-to-substrate distance) |
|
Контрол на скоростта на отлагане |
0,01 nm/s до 10 nm/s, регулирани чрез дву-канален кварцов кристален микробаланс (QCM) |
|
Материал на камерата |
Неръждаема стомана 304L, електрополирана (Ra < 0,25 um), вътрешни заварки с висок-вакуум |
Ключови характеристики
270-градусово магнитно отклонение:Огъва траекторията на електроните, за да предпази емитерната нишка от директен поток от пари, удължавайки експлоатационния живот и стабилизирайки емисионния ток.
Цифрово управление на почистването:Програмируемите модели на лъчите елиминират локализираното тунелиране на тигела и поддържат еднакъв разход на материал в множество-джобни огнища.
Регулиране на QCM със затворен-контур:Обратната връзка с двоен-сензор динамично регулира изходите на захранването, за да стабилизира скоростите на отлагане и да потисне дрейфа на стехиометрията на сплавта.
Архитектура на PLC блокировка:Наблюдение-в реално време на потока на охлаждащата вода, изолацията на високо-напрежение, уплътненията на вратите и налягането на предната линия за защита на операторите и целостта на вакуума.
Допълнителни портове за отлагане:Фланцовите точки за достъп поддържат вторична интеграция, включително термични лодки, йон{0}}подпомогнато отлагане (IAD) йонни пушки с решетка и катоди за магнетронно разпръскване.
Конфигурация на вакуумна система
Етап на грубо обработване:Спиралната-безмаслена помпа, съчетана с вентилатор за корени, постига-изолирана от вибрации груба обработка до 10^-2 Torr, елиминирайки обратния поток от въглеводороди.
Етап на висок-вакуум:Турбомолекулярна помпа (1200 L/s до 2200 L/s), поддържана от криогенен уловител, поддържаща работни налягания на процеса между 10^-6 и 10^-4 Torr.
Конструкция на камерата:Уплътнен с двоен-О-пръстен, облекчена-напрежение 304L неръждаема стомана с електрополирани вътрешни повърхности за минимизиране на отделянето на газове и задържането на влага.
Филмови материали и субстрати
Съвместими материали за отлагане
Огнеупорни метали:Титан (Ti), хром (Cr), тантал (Ta), молибден (Mo), волфрам (W), платина (Pt), злато (Au).
Диелектрици и оксиди:Силициев диоксид (SiO2), титанов диоксид (TiO2), танталов пентоксид (Ta2O5), алуминиев оксид (Al2O3), хафниев диоксид (HfO2).
Съвместими субстрати
Полупроводникови пластини (Si, GaAs, InP, 2-инча до 8-инча).
Заготовки от оптично стъкло, кварц, разтопен силициев диоксид и сапфирени прозорци.
Гъвкави метални фолиа и керамични субстрати (Al2O3).
Приложения
Производство на полупроводници:Контактно отлагане на метален затвор, бариерни слоеве и-отдигащи се метализиращи стекове за микроелектронни изследвания и пилотни линии.
Прецизна оптика:Много{0}}слойни оптични интерферентни филтри, анти{1}}отражателни (AR) покрития, високо-отражателни лазерни огледала и разделители на лъчи.
Оптоелектроника:Прозрачни проводими електроди и тънко{0}}слоеве за OLED дисплеи, фотодетектори и слънчеви клетки.
Разширени материали:Нарастване на магнитни сплави, прекурсори на свръхпроводници и устойчиви-на износване защитни покрития.
Опции за персонализиране
Размери на камерата:Мащабирани вертикални или хоризонтални обеми, за да паснат на не-стандартни индустриални тела или панели с голяма-площ.
Настройки за ко-изпаряване:Интегриране на множество E-лъчеви пистолети и термоефузионни клетки за комплексен синтез на сплави.
Зареждане-заключване на интегриране:Ръчни или автоматизирани рамена за линейно прехвърляне за поддържане на висока-цялост на вакуума по време на-високопроизводително зареждане на пластини.
Софтуерна интеграция:SCADA персонализирани протоколи, поддържащи редактиране на рецепти, регистриране на одит и стандарти за фабрична автоматизация SECS/GEM.
Контрол на качеството
Откриване на теч на хелий:Тестването с масов спектрометър гарантира, че скоростите на течове на заварката на камерата остават под 1 x 10^-9 atm*cm3/sec.
Електрическа проверка:-Тестване на изолация при високо напрежение, проверки на непрекъснатостта на заземяването и валидиране на отговора на блокировката съгласно кодовете за индустриална безопасност.
Фабрично приемане (FAT):72- часа непрекъснато оперативно записване на максимални вакуумни криви, стабилност на емисиите от пистолета и автоматизирано изпълнение на рецептата преди изпращане.
Инсталиране и техническа поддръжка
Предварително{0}}ръководство за инсталиране:Подробна документация, обхващаща контурите на охладената вода със затворен -контур, смукателна вентилация, изисквания за електрически товар (380V/480V 3-фазен) и натоварване на пода в чисти помещения.
Пускане в експлоатация на място:Механично позициониране на-на място, свързване-на вакуумни линии, електрически връзки и калибриране на базовата линия, извършени от фабрични сервизни инженери.
Оперативно обучение:Практически-инструкции, обхващащи смяна на нажежаема жичка, презареждане на тигела, QCM калибриране и рутинно отстраняване на неизправности в PLC.
ЧЗВ
В: Какво е стандартното време-за спиране на помпата от атмосферно до работно налягане?
О: С чиста, суха камера и стандартна турбомолекулярна настройка, системата достига работно базово налягане от 5 x 10^-6 Torr за по-малко от 15 минути.
Въпрос: Може ли системата да бъде конфигурирана за съвместно{0}}отлагане?
A: Да. Конфигурации с много-пистолети или комбинирани настройки на E-лъч и топлинен източник позволяват едновременно съвместно-изпаряване с независими контролери на скоростта.
В: Какви комунални услуги са необходими?
О: Необходимите комунални услуги включват охладена вода със затворен -контур (~20 градуса C, 0,3 MPa), сгъстен въздух (0,6 MPa) за пневматични клапани, пречистващи линии за N2 и специално трифазно електрическо захранване, съответстващо на избраното захранване (3 kW до 10 kW).
Въпрос: Как се предотвратява кръстосаното-замърсяване между различни изходни материали?
О: Много{0}}джобното огнище използва водно{1}}охлаждащ се меден възел с индексируемо въртене на джоба, физически и термично изолиращи материали, допълнени от персонализирано екраниране за спиране на кръстосания-поток.
Популярни тагове: система за отлагане на тънък филм с електронен лъч, Китай система за отлагане на тънък филм с електронен лъч производители, доставчици, фабрика, Оборудване с тънко филмово оборудване за микроелектроника, оборудване за пръскане на тънки филми

