Системата за йонно-подпомогнато вакуумно изпаряване интегрира високо-вакуумни термични или електронно-лъчеви източници на изпаряване с източник на йони тип Кауфман-или Краен-Хол. Чрез бомбардиране на нарастващия филм с йонизиран газ (Ar или O2) по време на физическо отлагане на пари (PVD), системата прехвърля кинетична енергия към адатоми, потискайки колонната микроструктура и предотвратявайки абсорбцията на влага в оптични и диелектрични тънки филми.
Създадена за интегриране на чисти помещения и непрекъснато много{0}}сменно производство, системата се мащабира от отпечатъци за научноизследователска и развойна дейност (300 mm камери) до високо-промишлени линии (900 mm двойни-врати и планетарни ротационни конфигурации).
Технически спецификации
|
Параметър Категория |
Техническа спецификация |
|
Размери на камерата |
600 mm x 600 mm x 600 mm (Може да се персонализира до 1200 mm) |
|
Материал на камерата |
Неръждаема стомана 304L, вътрешни повърхности, електрополирани до Ra < 0,2 um |
|
Базово налягане |
<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere) |
|
Крайно налягане |
<= 8.0 x 10^-6 Pa |
|
Източници на изпарение |
Много{0}}джобен E-лъчев пистолет (6 x 15cc / 4 x 40cc) и резистивни термични източници |
|
Източник на йони |
End-Hall / източник на йони без мрежа (напрежение на лъча: 50-300 V, йонен ток: 0-500 mA) |
|
Приспособление за субстрат |
Планетарен ротационен механизъм (0-20 RPM) с опционално нагряване (RT до 350 градуса C) |
|
Контрол на дебелината на филма |
Микровезна с кварцов кристал (QCM) с двойна сензорна глава и PID контролер със затворен-контур |
Ключови характеристики
Близка{0}}насипна плътност:Повишената подвижност на адатомната повърхност елиминира видимата порьозност на филма и увеличава максимално механичната твърдост.
Настройка на вътрешно напрежение:Регулируемата енергия на йонния лъч неутрализира механичното напрежение, предотвратявайки разслояването върху дебели диелектрични стекове.
Обработка с нисък-термичен-бюджет:Движеното от инерция{0}}уплътняване позволява високо{1}}ефективно покритие върху температурно-чувствителни полимерни субстрати без термично изкривяване.
Автоматизация на рецептата:PLC-контролирани вакуумни блокировки и изпомпване-надолу, управлявани чрез индустриален сензорен-панел HMI с регистриране на данни.
Конфигурация на вакуумна система
Етап на грубо обработване:Дву{0}}степенна механична помпа с въртящи се лопатки, съчетана с вентилатор (скорост 150 L/s) за бързо преминаване.
Етап на висок вакуум:Магнитно левитирана турбомолекулярна помпа (1600 L/s), поддържана от безмаслена-суха спирална помпа за елиминиране на обратния поток от въглеводороди.
Криогенна опция:Студен уловител с течен азот и интеграция на криопомпата за ниско парциално налягане на водните-пари.
Измерване на вакуум:Кръстосано-калибрирани измервателни уреди на Пирани и студен катод за обратна връзка в реално-време от атмосферата до 10^-7 Pa.
Изпарителни материали и съвместимост на субстрата
Изпарителни материали
Оксиди:SiO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, Al2O3
Флуориди:MgF2, LaF3
Метали:Al, Ag, Au, Ti, Cr
Съвместимост на субстрата
Оптични субстрати:Прозорци от стопен силициев диоксид, N-BK7, силиций, германий и цинков селенид.
Полупроводникови пластини:100 mm до 300 mm силициеви и съставни полупроводникови пластини.
Полимери:PET, PI (полиимид) и PMMA филми, използващи ниско{0}}температурни IAD параметри.
Приложения
Прецизна оптика:Анти{0}}отражателни (AR) покрития, лазерни огледала и теснолентови филтри, изискващи устойчивост на влага.
Микроелектроника:Метални затворни електроди, адхезионни слоеве и пасивиращи бариери в полупроводникови опаковки.
Оптоелектроника:Прозрачни проводими оксидни (TCO) контакти и OLED{0}}слоеве за капсулиране на влага.
Опции за персонализиране
Геометрия на камерата:Правоъгълни или цилиндрични конструкции, съобразени с ограниченията на стените на чистите помещения.
Интегриране на множество{0}}източници:Инсталации за съвместно изпаряване, включващи до три оръдия с електронен{1}}лъч и четири термични лодки.
Пристанища за-метрология на място:Интегрирани фланцови портове за спектроскопични елипсометри или оптични системи за наблюдение.
Ниво на автоматизация:Полу-автоматични изследователски компилации или напълно автоматизирано боравене с пластини от-към-касета.
Протоколи за контрол на качеството и тестване
Откриване на течове:Тестване с хелиев масспектрометър на всяка камера със строг праг на отхвърляне < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s.
Проверка за чистота:Сканирането с анализатор на остатъчен газ (RGA) е извършено преди изпращане, за да се провери нулевите органични въглеводороди.
Записване-на системата:72-часов непрекъснат тест на суха работа на механични задвижвания, охлаждащи колектори и електрически блокировки.
Документация:Сертификати за изпитване на мелница за материали (MTRs), електрически схеми и доклади за фабрично приемане (FAT).
Инсталиране и техническа поддръжка
Подготовка на обекта:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 m^3/h), чист сух въздух (CDA) и отработени газове.
Пускане в експлоатация:Внедряване на полево обслужване за механично нивелиране, свързване на комунални услуги, калибриране на вакуум и подписване-на рецепта.
Обучение на оператора:5-дневна програма на място, обхващаща работа, превантивна поддръжка, отстраняване на неизправности и блокировки за безопасност.
Резервни части:Критични елементи за износване (нишки, QCM кристали, уплътнения, турбомолекулярни лагери), складирани регионално.
Често задавани въпроси
В: Как IAD предотвратява отклонението на индекса на пречупване?
О: Йонното бомбардиране изхвърля уловените остатъчни газове и уплътнява растежа на филма до почти -насипна плътност. Това спира кондензацията на околна влага при атмосферно изпускане, осигурявайки нулево изместване на централната-дължина на вълната с течение на времето.
Въпрос: Какъв е интервалът за поддръжка на решетките и нишките с източници на йони?
О: Край-Източниците на йони на Хол работят 150-200 технологични часа в зависимост от реактивните газове. Бързо освобождаващите се скоби позволяват смяна на компонентите за по-малко от 30 минути.
Въпрос: Може ли системата да се справи с реактивни процеси като TiO2?
A: Да. Специализирани високо{1}}прецизни контролери за масов поток (MFC) инжектират кислород или азот директно в камерата и източника на йони, осигурявайки пълна стехиометрия и елиминирайки суб-абсорбцията на оксид.
Популярни тагове: оборудване за йонно-подпомогнато вакуумно изпаряване, Китай йонно-подпомогнато оборудване за вакуумно изпаряване производители, доставчици, фабрика

