Йонно{0}}оборудване за вакуумно изпаряване

Йонно{0}}оборудване за вакуумно изпаряване

Детайли
Системата за йонно-подпомогнато вакуумно изпаряване интегрира високо-вакуумни термични или електронно-лъчеви източници на изпаряване с източник на йони тип Кауфман-или Краен-Хол. Чрез бомбардиране на нарастващия филм с йонизиран газ (Ar или O2) по време на физическо отлагане на пари (PVD), системата прехвърля кинетична енергия към адатоми, потискайки колонната микроструктура и предотвратявайки абсорбцията на влага в оптични и диелектрични тънки филми.
Класификация на продуктите
Оборудване за тънкослойно-изпаряване с йони
 
Изпрати запитване
Описание
Технически параметри

Системата за йонно-подпомогнато вакуумно изпаряване интегрира високо-вакуумни термични или електронно-лъчеви източници на изпаряване с източник на йони тип Кауфман-или Краен-Хол. Чрез бомбардиране на нарастващия филм с йонизиран газ (Ar или O2) по време на физическо отлагане на пари (PVD), системата прехвърля кинетична енергия към адатоми, потискайки колонната микроструктура и предотвратявайки абсорбцията на влага в оптични и диелектрични тънки филми.


Създадена за интегриране на чисти помещения и непрекъснато много{0}}сменно производство, системата се мащабира от отпечатъци за научноизследователска и развойна дейност (300 mm камери) до високо-промишлени линии (900 mm двойни-врати и планетарни ротационни конфигурации).

 

Технически спецификации

 

Параметър Категория

Техническа спецификация

Размери на камерата

600 mm x 600 mm x 600 mm (Може да се персонализира до 1200 mm)

Материал на камерата

Неръждаема стомана 304L, вътрешни повърхности, електрополирани до Ra < 0,2 um

Базово налягане

<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere)

Крайно налягане

<= 8.0 x 10^-6 Pa

Източници на изпарение

Много{0}}джобен E-лъчев пистолет (6 x 15cc / 4 x 40cc) и резистивни термични източници

Източник на йони

End-Hall / източник на йони без мрежа (напрежение на лъча: 50-300 V, йонен ток: 0-500 mA)

Приспособление за субстрат

Планетарен ротационен механизъм (0-20 RPM) с опционално нагряване (RT до 350 градуса C)

Контрол на дебелината на филма

Микровезна с кварцов кристал (QCM) с двойна сензорна глава и PID контролер със затворен-контур

 

Ключови характеристики


Близка{0}}насипна плътност:Повишената подвижност на адатомната повърхност елиминира видимата порьозност на филма и увеличава максимално механичната твърдост.


Настройка на вътрешно напрежение:Регулируемата енергия на йонния лъч неутрализира механичното напрежение, предотвратявайки разслояването върху дебели диелектрични стекове.


Обработка с нисък-термичен-бюджет:Движеното от инерция{0}}уплътняване позволява високо{1}}ефективно покритие върху температурно-чувствителни полимерни субстрати без термично изкривяване.


Автоматизация на рецептата:PLC-контролирани вакуумни блокировки и изпомпване-надолу, управлявани чрез индустриален сензорен-панел HMI с регистриране на данни.

 

Конфигурация на вакуумна система


Етап на грубо обработване:Дву{0}}степенна механична помпа с въртящи се лопатки, съчетана с вентилатор (скорост 150 L/s) за бързо преминаване.


Етап на висок вакуум:Магнитно левитирана турбомолекулярна помпа (1600 L/s), поддържана от безмаслена-суха спирална помпа за елиминиране на обратния поток от въглеводороди.


Криогенна опция:Студен уловител с течен азот и интеграция на криопомпата за ниско парциално налягане на водните-пари.


Измерване на вакуум:Кръстосано-калибрирани измервателни уреди на Пирани и студен катод за обратна връзка в реално-време от атмосферата до 10^-7 Pa.

 

Изпарителни материали и съвместимост на субстрата


Изпарителни материали
Оксиди:
SiO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, Al2O3


Флуориди:MgF2, LaF3


Метали:Al, Ag, Au, Ti, Cr


Съвместимост на субстрата
Оптични субстрати:
Прозорци от стопен силициев диоксид, N-BK7, силиций, германий и цинков селенид.


Полупроводникови пластини:100 mm до 300 mm силициеви и съставни полупроводникови пластини.


Полимери:PET, PI (полиимид) и PMMA филми, използващи ниско{0}}температурни IAD параметри.

 

Приложения


Прецизна оптика:Анти{0}}отражателни (AR) покрития, лазерни огледала и теснолентови филтри, изискващи устойчивост на влага.


Микроелектроника:Метални затворни електроди, адхезионни слоеве и пасивиращи бариери в полупроводникови опаковки.


Оптоелектроника:Прозрачни проводими оксидни (TCO) контакти и OLED{0}}слоеве за капсулиране на влага.

 

Опции за персонализиране


Геометрия на камерата:Правоъгълни или цилиндрични конструкции, съобразени с ограниченията на стените на чистите помещения.


Интегриране на множество{0}}източници:Инсталации за съвместно изпаряване, включващи до три оръдия с електронен{1}}лъч и четири термични лодки.


Пристанища за-метрология на място:Интегрирани фланцови портове за спектроскопични елипсометри или оптични системи за наблюдение.


Ниво на автоматизация:Полу-автоматични изследователски компилации или напълно автоматизирано боравене с пластини от-към-касета.

 

Протоколи за контрол на качеството и тестване


Откриване на течове:Тестване с хелиев масспектрометър на всяка камера със строг праг на отхвърляне < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s.


Проверка за чистота:Сканирането с анализатор на остатъчен газ (RGA) е извършено преди изпращане, за да се провери нулевите органични въглеводороди.


Записване-на системата:72-часов непрекъснат тест на суха работа на механични задвижвания, охлаждащи колектори и електрически блокировки.


Документация:Сертификати за изпитване на мелница за материали (MTRs), електрически схеми и доклади за фабрично приемане (FAT).

 

Инсталиране и техническа поддръжка


Подготовка на обекта:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 m^3/h), чист сух въздух (CDA) и отработени газове.


Пускане в експлоатация:Внедряване на полево обслужване за механично нивелиране, свързване на комунални услуги, калибриране на вакуум и подписване-на рецепта.


Обучение на оператора:5-дневна програма на място, обхващаща работа, превантивна поддръжка, отстраняване на неизправности и блокировки за безопасност.


Резервни части:Критични елементи за износване (нишки, QCM кристали, уплътнения, турбомолекулярни лагери), складирани регионално.

 

Често задавани въпроси

 

В: Как IAD предотвратява отклонението на индекса на пречупване?

О: Йонното бомбардиране изхвърля уловените остатъчни газове и уплътнява растежа на филма до почти -насипна плътност. Това спира кондензацията на околна влага при атмосферно изпускане, осигурявайки нулево изместване на централната-дължина на вълната с течение на времето.

Въпрос: Какъв е интервалът за поддръжка на решетките и нишките с източници на йони?

О: Край-Източниците на йони на Хол работят 150-200 технологични часа в зависимост от реактивните газове. Бързо освобождаващите се скоби позволяват смяна на компонентите за по-малко от 30 минути.

Въпрос: Може ли системата да се справи с реактивни процеси като TiO2?

A: Да. Специализирани високо{1}}прецизни контролери за масов поток (MFC) инжектират кислород или азот директно в камерата и източника на йони, осигурявайки пълна стехиометрия и елиминирайки суб-абсорбцията на оксид.

 

Популярни тагове: оборудване за йонно-подпомогнато вакуумно изпаряване, Китай йонно-подпомогнато оборудване за вакуумно изпаряване производители, доставчици, фабрика

Изпрати запитване
Свържете се с насако имате някакви въпроси

Можете да се свържете с нас чрез телефон, имейл или онлайн формата по-долу. Наш специалист ще се свърже с вас скоро.

Свържете се сега!