PVD много{0}}процесно тънкослойно оборудване

PVD много{0}}процесно тънкослойно оборудване

Детайли
PVD Multi{0}}Process Thin Film Equipment е интегрирана платформа за вакуумно отлагане, проектирана да комбинира множество техники за производство на тънки-слои – включително RF/DC магнетронно разпрашване, термично изпаряване и изпаряване с електронен лъч – в рамките на унифицирана вакуумна архитектура.
Класификация на продуктите
PVD оборудване за тънкослойно композитно покритие
 
Изпрати запитване
Описание
Технически параметри

PVD Multi{0}}Process Thin Film Equipment е интегрирана платформа за вакуумно отлагане, проектирана да комбинира множество-техники за производство на тънък филм-включително RF/DC магнетронно разпрашване, термично изпаряване и изпаряване с електронен лъч-в рамките на унифицирана вакуумна архитектура.


Тази система елиминира замърсяването от прекъсване на вакуума между отделните слоеве на процеса, позволявайки отлагането на сложни много{0}}слойни метални, диелектрични и полупроводникови филми без излагане на околната среда. Конфигуриран за лабораторни клъстери за научноизследователска и развойна дейност или производство на пилотна-линия, той побира субстрати с диаметър до 300 mm или персонализирани носители.

 

Технически спецификации

 

Параметър

Подробности за спецификацията

Крайно базово налягане

< 5.0 x 10^-6 Pa (Achieved via Turbo-Molecular and Cryogenic Pumping)

Материал на камерата

304L / 316L неръждаема стомана, електро-полирана (Ra < 0,25 um)

Съвместимост на субстрата

Силиконови пластини (до 300 mm), стъкло, кварц, метални фолиа, гъвкави субстрати

Източници на отлагане

До 4 разпръскващи катода (2-инча до 4 инча), 2 джоба за електронен лъч, 2 термични лодки

Еднообразие на филма

+/- 1% в площ от 200 мм субстрат (подпомагано-въртене)

Подгряване на субстрата

Околна среда до 800 C с PID затворен-контрол на температурата

Захранващи устройства

DC (до 5kW), RF (13.56MHz, до 2kW), импулсен DC за реактивно разпръскване

Системен контрол

PLC + индустриален компютър, SCADA софтуер, пълна автоматизация на рецептата и ръчно управление

 

Ключови характеристики


Модулна вакуумна архитектура:Независими процесни камери, свързани чрез шибърни вентили, предотвратяват кръстосано-замърсяване между реактивно разпръскване и високо-вакуумно изпарение.


При-вакуумен трансфер на субстрат:Магнитни или линейни трансферни рамена поддържат висок вакуум (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.


Фланци за бърза{0}}смяна на източника:Катодите за разпръскване и тигелите с е-лъчи са монтирани на стандартни CF фланци за бърза поддръжка и подмяна на целите.


Разширено криогенно улавяне:Интегрираните студени уловители с течен азот и уловителите на Meissner минимизират налягането на остатъчната водна пара вътре в камерата.


Мониторинг на дебелината на затворен-контур:Двойните сензори за микровезни с кварцови кристали (QCM) осигуряват -реална обратна връзка за скоростта на отлагане и дебелината, свързана директно с регулирането на захранването.

 

Конфигурация на вакуумна система


Етап на грубо обработване:Спирални-безмаслени помпи, съчетани с много-степенни коренови вентилатори за елиминиране на обратния-поток на въглеводороди.


Етап на висок вакуум:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1200 L/s за N2) и допълнителни криопомпи за висока производителност на водни-пари.


Регулиране на налягането:Капацитетни манометри Baratron за измерване на абсолютно налягане, независимо от видовете газ, съчетани с автоматизирани дроселни клапи за прецизен контрол на налягането на технологичния газ (0,1 Pa до 10 Pa).


Откриване на течове:Изтичане на хелий-тествано до < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s преди изпитване за фабрично приемане (FAT).

 

Изпарителни материали и съвместимост на субстрата


Проводими цели:Au, Ag, Cu, Al, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr.


Диелектрични материали:SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (чрез реактивно разпрашване или e-лъч).


Типове субстрати:
Полупроводникови пластини (силиций, галиев арсенид, индиев фосфид).


Оптични заготовки (разтопен силициев диоксид, BK7, сапфир).


Гъвкави платна и тънки метални листове (полиимид, фолио от неръждаема стомана).

 

Приложения и проверени данни за ефективността


Оптоелектроника:Отлагане на прозрачни проводими оксидни (TCO) слоеве и анти{0}}антиотражателни (AR) оптични филтри.


Производство на полупроводникови устройства:Образуване на омични контакти, бариери на Шотки, зародишни слоеве за галванопластика и дифузионни бариери (Ti/TiN).


Производство на сензори:Тънкослойни метални тензодатчици, микро-нагревателни елементи и пиезоелектрични преобразуватели.


Разширено проучване и развитие:Изследователски синтез на много{0}}слоен тънък{1}}слой за компоненти за квантови изчисления и нови материали за съхранение на енергия.

 

Опции за персонализиране


Геометрия на камерата:Разширяващи се размери на камерата за не-стандартни или големи партидни субстрати.


Интеграция на източника:Персонализирани съотношения на разпределение между магнетронни разпрашващи пистолети и джобове за изпаряване на електронен лъч.


Пристрастно разпръскване:Опции за RF/DC отклонение на субстрата за уплътняване на филма и контрол на напрежението.


Зареждане-заключване на интегриране:Добавяне на автоматизирани зареждащи-заключващи камери за поддържане на висока цялост на вакуума по време на-високопроизводителни цикли на зареждане.

 

Контрол на качеството и фабрично тестване


Проследимост на материала:Сертификати за изпитване на мелница (MTC), предоставени за всички компоненти от неръждаема стомана и структурни рамки от страна на вакуум-.


Сглобяване на чиста стая:Окончателното интегриране и проверка на -броя на частиците, извършени в среда на чиста стая ISO клас 6.


Фабрично приемане (FAT):72-часов непрекъснат тест за изпичане във вакуум, тест за течове чрез масспектрометрия на анализатор на остатъчен газ (RGA) и отлагане на базов филм за проверка на еднородността на дебелината.

 

Инсталиране и техническа поддръжка


Ръководство за подготовка на място:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 L/min), сгъстен въздух, технологични газови линии (Ar, O2, N2 при 99,999% чистота) и изисквания за електрически товар (3-фазен 380V/480V).


Пускане в експлоатация:-Инсталиране на място, вакуумно калибриране и съвместни тестове-, проведени от фабрични инженери за обслужване на място.


Обучение на оператора:Структурирано 5-дневно обучение на място, обхващащо рутинна поддръжка, протоколи за безопасност при вакуумиране, програмиране на рецепти и основно отстраняване на проблеми.

 

Често задавани въпроси

 

Въпрос: Какво е типичното-време на изпомпване от атмосферно до крайно базово налягане?

О: Използвайки стандартната груба обработка-без масло и конфигурация на турбо-молекулярна помпа, системата постига базово налягане от < 5,0 x 10^-6 Pa в рамките на 45 минути от сухо, чисто стартиране.

В: Може ли системата да бъде надстроена на място от еднокамерен до много{0}}камерен клъстер?

A: Да. Модулният дизайн на рамката включва стандартни фланцови портове ConFlat (CF) и стандартизирани интерфейси за механично подравняване, което позволява интегрирането на допълнителни източници на отлагане или модули за-блокиране на товара във вашето съоръжение.

Въпрос: Какви блокировки за безопасност са интегрирани в системата за управление?

О: Архитектурата на PLC включва блокировки на хардуерно-ниво за повреда на потока на охлаждащата вода, спад на налягането на сгъстения въздух, състояние на поддържащата помпа, пре-температурни условия и защита от случайни вентилационни отвори във вакуумната камера.

 

Популярни тагове: pvd мулти-процесно тънкослойно оборудване, Китай pvd много-процесно тънкослойно оборудване производители, доставчици, фабрика

Изпрати запитване
Свържете се с насако имате някакви въпроси

Можете да се свържете с нас чрез телефон, имейл или онлайн формата по-долу. Наш специалист ще се свърже с вас скоро.

Свържете се сега!