PVD оборудване за вакуумно отлагане на композитни материали

PVD оборудване за вакуумно отлагане на композитни материали

Детайли
Тази индустриална PVD композитна платформа за вакуумно отлагане интегрира множество техники за отлагане в среда с една камера за отлагане на равномерни, много{0}}слойни метални, сплавни или диелектрични тънки филми. Стандартните архитектури позволяват групова обработка за субстрати до 400 mm x 400 mm, с персонализирани геометрии на камерата, достъпни за работа от-to-roll или 3D компоненти.
Класификация на продуктите
PVD оборудване за тънкослойно композитно покритие
 
Изпрати запитване
Описание
Технически параметри

Тази индустриална PVD композитна платформа за вакуумно отлагане интегрира множество техники за отлагане в среда с една камера за отлагане на равномерни, много{0}}слойни метални, сплавни или диелектрични тънки филми. Стандартните архитектури позволяват групова обработка за субстрати до 400 mm x 400 mm, с персонализирани геометрии на камерата, достъпни за работа от-to-roll или 3D компоненти.

 

Технически спецификации

 

Параметър

Спецификация Стандарт

Надстройка по избор / персонализирана гама

Крайно базово налягане

< 5.0 x 10^-5 Pa

< 1.0 x 10^-6 Pa (Cryopump configuration)

Време за-изпомпване

< 15 min (To 1.0 x 10^-3 Pa)

До 8 минути с турбо-молекулярна интеграция

Материал на камерата

Неръждаема стомана 304L (електро-полирана)

316L неръждаема стомана / вътрешни екраниращи облицовки

Размер на приспособлението за субстрат

300 mm x 300 mm плосък носач

До 600 мм диаметър или персонализирани планетарни задвижвания

Еднообразие на филма

+/- 3% в стандартната площ на субстрата

+/- 1.5% с оптимизирано маскиране и завъртане на субстрата

Източници на отлагане

2 x термично изпаряване + 2 x магнетронно разпръскване

До 6 смесени-конфигурации на източници (RF/DC/термални)

Захранване

DC: 5kW; RF: 13,56MHz, 3kW

Импулсни генератори за постоянен ток и средна{0}}честота (MF).

 

Ключови характеристики


Интегриране на множество{0}}източници:Комбинира термично изпаряване и магнетронно разпръскване в един цикъл на изпомпване-надолу, предотвратявайки окисляването на интерфейса и намалявайки времето за работа.


Контрол на дебелината на затворен-контур:Свързва се директно със сензори за микровезни с кварцови кристали (QCM) и оптични системи за наблюдение за управление на скоростите на отлагане в реално време.


Модулна камерна архитектура:Фланцовите портове позволяват бързо преоборудване на допълнителни източници на изпарение или йонни пистолети без повторно -обработване на основното тяло на камерата.


Възможност за отклоняване на субстрата:RF/DC захранващите устройства осигуряват почистване с йонна бомбардировка преди отлагането, увеличавайки адхезията на филма върху трудни метални и керамични субстрати.


Автоматизирано секвениране на процеси:PLC{0}}контролирано управление на рецепти управлява шибъри, контролери за масов дебит (MFC), нарастване на мощността и задействане на затвора, за да елиминира-предизвиканите от оператора вариации.

 

Конфигурация на вакуумна система


Вакуумната подсистема е структурирана така, че да минимизира времената на цикъла и да се справя с натоварванията, отделящи газове от различни изходни материали:


Помпи за груба обработка и корени:Сухите винтови помпи елиминират рисковете от обратен поток-масло, отговаряйки на изискванията за чисти помещения ISO клас 4.


Високо{0}}вакуумни помпи: Combination of magnetically levitated turbo-molecular pumps (slot speed >= 1600 L/s) и допълнителни криопомпи за висок капацитет на изпомпване на водни-пари.


Мониторинг на налягането:Конфигурация на уреда с двоен-обхват (уреди на Пирани за груба обработка; уреди за йонизация/Пенинг за висок вакуум), свързани с предпазни клапани за предотвратяване на атмосферно замърсяване на нишките.


Откриване на течове:Изтичането на хелий- е проверено до праг от < 1,0 x 10^-9 Pa·m^3/s преди фабричното приемане.

 

Изпарителни материали и съвместимост на субстрата


Изпарителни материали:
Метали:
Al, Cu, Ti, Cr, Ni, Au, Ag, Pt.


сплави:Мишени от NiCr, TiAl, неръждаема стомана.


Диелектрици / Оксиди:SiO2, TiO2, Al2O3, ITO (чрез реактивно разпрашване или интегриране на електронен лъч).


Съвместимост на субстрата:
Полупроводникови пластини:
Силиций, GaAs до 300 mm.


Оптични субстрати:Лещи от оптично стъкло, кварц и сапфир.


Инженерни пластмаси:PI, PET, PC чрез-нискотемпературно термично управление.


Метални субстрати:Метални фолиа и щамповани метални компоненти.

 

Приложения


Оптоелектроника:Отлагане на прозрачни проводящи оксиди (ITO) и анти{0}}отражателни много-слоеве за сензорни панели и сензорни прозорци.


Силова електроника:Образуване на омични контакти с ниско{0}}съпротивление и бариерни слоеве върху силиций и полупроводникови субстрати с широка-забранена зона.


Функционални покрития:Устойчиви{0}} на износване и декоративни метални покрития върху индустриални крепежни елементи, медицински импланти и потребителски хардуер.

 

Опции за персонализиране


Конфигурациите на оборудването са адаптирани към специфични производствени ограничения:


Размер на камерата:Мащабирано от настолни модули за научноизследователска и развойна дейност (400 mm куб) до производствени системи с голям-капацитет (1200 mm цилиндрични/кутиести камери).


Зареждане-заключване на интегриране:Конфигурация с едно-крайно ръчно зареждане или дву-камера-заключване за поддържане на висок вакуум в главната зона на отлагане по време на непрекъснати цикли на зареждане.


Топлинно управление:Водно{0}}охлаждани, отопляеми етапи на субстрата (до 600 градуса) или криогенни маси за охлаждане на субстрата.


Контролен интерфейс:Интеграция с фабрични SCADA или MES мрежи чрез SECS/GEM или Modbus TCP протоколи.

 

Контрол на качеството и фабрично тестване


Всяка единица преминава през строга проверка преди изпращане:


Тест за цялост на вакуум:48-часов непрекъснат одит за откриване на течове с хелиев масспектрометър.


Тест за електрическа безопасност:Изолационно съпротивление, диелектрична устойчивост и тестване за непрекъснатост на заземяването в съответствие с директивите за безопасност CE/UL.


Функционална работа на сухо:72-часово непрекъснато автоматизирано циклиране на всички механични щори, контролери за масов поток и генератори на енергия.


Изпълнение на приемане на процеса:Фабричен тест за приемане (FAT), изпълнен с-специфицирани от клиента целеви материали за проверка на стабилността на скоростта на отлагане и еднаквостта на дебелината.

 

Инсталиране и техническа поддръжка


Пакет документи:Пълни инженерни резултати, включително P&ID диаграми, електрически схеми, логическа архитектура на PLC източник и ръководства за потребителска поддръжка.


Пускане в-на място:Инженерите за обслужване на място контролират монтажа, свързването на чисти помещения, валидирането на комуналните услуги (охлаждаща вода, CDA, захранване) и изпитването за приемане на обекта (SAT).


Обучение на оператора:Структурирано практическо{0}}обучение, обхващащо рутинна поддръжка, отстраняване на проблеми с вакуума и редактиране на рецепти за инженери по процеси.


Наличност на резервни части:Критични компоненти (уплътнителни комплекти, екраниращи облицовки, нишки, QCM кристали), складирани за директно изпращане.

 

Често задавани въпроси

 

В: Каква е максималната температура на субстрата, достигната по време на стандартен цикъл на отлагане?

О: Без активно охлаждане или нагряване на субстрата, радиацията от източници на термично изпарение обикновено повишава температурите на субстрата с 30 до 50 градуса. Предлагат се водноохлаждащи се държачи за субстрати за поддържане на температури на субстрата под 40 градуса за чувствителни на температура-полимерни филми.

В: Може ли системата да превключва между реактивно разпръскване и термично изпаряване в рамките на един и същи цикъл?

A: Да. Мениджърът на PLC рецепти координира инжектирането на газ чрез контролери за масов поток (напр. O2 или N2 за реактивни процеси) заедно с активирането на електрозахранването за разпръскващи катоди и нарастване на тока за термични лодки, позволявайки много-пластово подреждане без нарушаване на вакуума.

В: Какви изисквания за комунални услуги са необходими за стандартни конфигурации на камера?

A: Standard requirements include 3-phase 380V/480V AC (+/- 10%), 50/60Hz; clean dry air (CDA) at 0.5 to 0.7 MPa for pneumatic valves; chilled cooling water supply (>= 30 л/мин при 15 до 20 градуса); и локално отвеждане на отработените газове за поддържане на отработените газове на помпата.

Въпрос: Как се управлява кръстосаното-замърсяване между различни източници на изпарение?

О: Всяка позиция на източника включва индивидуални пневматични щори и физически вътрешни екраниращи прегради. Разстоянието-между източниците и насоченото екраниране предотвратяват кръстосания-поток на материала към съседни източници по време на съвместно-изпаряване или последователни-протичания на материали.

 

Популярни тагове: pvd композитно оборудване за вакуумно отлагане, Китай pvd композитно оборудване за вакуумно отлагане производители, доставчици, фабрика

Изпрати запитване
Свържете се с насако имате някакви въпроси

Можете да се свържете с нас чрез телефон, имейл или онлайн формата по-долу. Наш специалист ще се свърже с вас скоро.

Свържете се сега!